MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT29F4G08ABADAWP-IT:D par Micron Technology et MX30LF4G18AC-TI-T par Macronix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
Marque Micron Technology Macronix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,45 $3,05
Type de mémoire FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Taille de mémoire 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
Interface Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
Boîtier / Format 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
Température de fonctionnement -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
Organisation de la mémoire — 512M x 8 bit
Largeur du bus de données — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
Boîtier — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

Fiches techniques et ressources

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