MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT29F4G08ABADAWP-IT:D 제조: Micron Technology 및 MX30LF4G18AC-TI-T 제조: Macronix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
브랜드 Micron Technology Macronix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.45 $3.05
메모리 유형 FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
메모리 크기 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
인터페이스 Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
동작 온도 -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
메모리 구성 — 512M x 8 bit
데이터 버스 폭 — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
패키지 — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

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