MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT29F4G08ABADAWP-IT:D por Micron Technology e MX30LF4G18AC-TI-T por Macronix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
Marca Micron Technology Macronix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,45 $3,05
Tipo de memória FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Tamanho da memória 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
Interface Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
Encapsulamento / Caixa 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
Temperatura de operação -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
Organização da memória — 512M x 8 bit
Largura do barramento de dados — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
Encapsulamento — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

Fichas técnicas e recursos

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