MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT29F4G08ABADAWP-IT:D von Micron Technology und MX30LF4G18AC-TI-T von Macronix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
Marke Micron Technology Macronix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,45 $3,05
Speichertyp FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Speichergröße 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
Schnittstelle Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
Gehäuse / Bauform 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
Betriebstemperatur -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
Speicherorganisation — 512M x 8 bit
Datenbusbreite — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
Gehäuse — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern