MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G16TD-062E par Micron Technology et H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G16TD-062E H5ANAG6NCMR-XNC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $18,41 $31,40
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Taille de mémoire 16 Gbit 16 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Interface POD12 (1.2V pseudo open-drain) Parallel
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Bank Architecture 8 banks (x16 configuration) —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Refresh 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C [DATA_NEEDED: refresh rate]
Température de fonctionnement TC maximum up to 95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Speed Grade -062E XN (3200)
Product Line Suffix AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) —
Memory Organization — 1G x 16
Débit de données — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS
Power Class — Normal Power
Product Status — Active
Statut RoHS — RoHS Compliant
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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