MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCMR-XNC 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A1G16TD-062E 제조: Micron Technology 및 H5ANAG6NCMR-XNC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCMR-XNC - 16Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA-96 | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNC - 16Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA-96 | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A1G16TD-062E H5ANAG6NCMR-XNC
브랜드 Micron Technology SK hynix
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $18.41 $31.40
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
메모리 크기 16 Gbit 16 Gb
메모리 구성 1G x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
인터페이스 POD12 (1.2V pseudo open-drain) Parallel
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Bank Architecture 8 banks (x16 configuration) —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Refresh 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C [DATA_NEEDED: refresh rate]
동작 온도 TC maximum up to 95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Speed Grade -062E XN (3200)
Product Line Suffix AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) —
Memory Organization — 1G x 16
데이터 속도 — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS
Power Class — Normal Power
Product Status — Active
RoHS 상태 — RoHS Compliant
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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