MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A1G16TD-062E por Micron Technology e H5ANAG6NCMR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A1G16TD-062E H5ANAG6NCMR-XNC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $18,41 $31,40
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Tamanho da memória 16 Gbit 16 Gb
Organização da memória 1G x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Interface POD12 (1.2V pseudo open-drain) Parallel
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Bank Architecture 8 banks (x16 configuration) —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Refresh 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C [DATA_NEEDED: refresh rate]
Temperatura de operação TC maximum up to 95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Speed Grade -062E XN (3200)
Product Line Suffix AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) —
Memory Organization — 1G x 16
Taxa de dados — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS
Power Class — Normal Power
Product Status — Active
Status RoHS — RoHS Compliant
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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