MT40A512M16HA-083E vs MT40A512M16JY-075E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16HA-083E par Micron Technology et MT40A512M16JY-075E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16HA-083E | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $30,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Data Interface | Parallel DDR4, 16-bit | — |
| Débit de données | 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class | 2666 MT/s |
| VDD Supply | 1.2 V plus or minus 60 mV | — |
| VDDQ Supply | 1.2 V plus or minus 60 mV | — |
| VPP Supply | 2.5 V, -125 mV to +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Tension de référence | On-die internal adjustable VREFDQ | — |
| Refresh Cycle Count | 8192 cycles | — |
| Refresh Time, -40C to 85C | 64 ms | — |
| Refresh Time, >85C to 95C | 32 ms | — |
| Refresh Time, >95C | 16 ms | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | 96-FBGA (8x14) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interface | — | Parallel |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |