MT40A512M16HA-083E vs MT40A512M16JY-075E 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16HA-083E 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16JY-075E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E ✓ 활성
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16HA-083E MT40A512M16JY-075E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $30.50
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Data Interface Parallel DDR4, 16-bit —
데이터 속도 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class 2666 MT/s
VDD Supply 1.2 V plus or minus 60 mV —
VDDQ Supply 1.2 V plus or minus 60 mV —
VPP Supply 2.5 V, -125 mV to +250 mV —
I/O Interface 1.2V pseudo open-drain —
기준 전압 On-die internal adjustable VREFDQ —
Refresh Cycle Count 8192 cycles —
Refresh Time, -40C to 85C 64 ms —
Refresh Time, >85C to 95C 32 ms —
Refresh Time, >95C 16 ms —
패키지 96-ball FBGA, 9 x 14 mm 96-FBGA (8x14)
Ball Pitch 0.8 mm —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
메모리 크기 — 8 Gbit
메모리 구성 — 512M x 16
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
인터페이스 — Parallel
동작 온도 범위 — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
특징 — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

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