MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology et H5AN8G6NCJR-xxC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latence CAS | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Débit de données | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |