MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16HA-125:E от Micron Technology и H5AN8G6NCJR-xxC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT41K256M16HA-125:E H5AN8G6NCJR-xxC
Бренд Micron Technology SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,10 $6,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gb
Организация памяти 256M x 16 512M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Задержка CAS 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Корпус 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Количество выводов 96 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C (TC) —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Разрядность шины данных 16 bits —
Logic Family CMOS —
Скорость передачи данных — 2666 Mbps (VKC speed grade)
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену