MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology e H5AN8G6NCJR-xxC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16HA-125:E H5AN8G6NCJR-xxC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $6,50
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gb
Organização da memória 256M x 16 512M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Latência CAS 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Encapsulamento 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Número de pinos 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação 0°C to +95°C (TC) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Largura do barramento de dados 16 bits —
Logic Family CMOS —
Taxa de dados — 2666 Mbps (VKC speed grade)
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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