MT58L64L32PT7.5 vs MT58L64L32FT-10 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT58L64L32PT7.5 par Micron Technology et MT58L64L32FT-10 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron
MT58L64L32PT7.5 ✗ Fin de vieMicron Technology
MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron
MT58L64L32FT-10 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | MT58L64L32PT7.5 | MT58L64L32FT-10 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $19,90 | $0,00 |
| Type de mémoire | SRAM - Synchronous (SYNCBURST Pipelined) | SRAM - Synchronous Burst (Flow-Through SyncBurst) |
| Taille de mémoire | 2 Mbit | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 32 | 64K x 32/36 (also 128K x 18) |
| Clock Frequency | 133 MHz | — |
| Access Time | 4 ns | 10 ns |
| Supply Voltage Range | 3.135 V to 3.6 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boîtier | 100-TQFP (14 x 20.1 mm) | 100-TQFP (14 x 20.1 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Pitch | 0.5 mm | — |
| Memory Format | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +70C (commercial; -10IT variant industrial) |
| I/O Type | LVTTL-compatible 3.3V | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Manufacturer | Micron Technology (also listed under Samsung Semiconductor, Inc. marketplace listing) | — |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 66 MHz |
| Supply Voltage VDD | — | 3.3 V (+0.3 V/-0.165 V) |
| Output Buffer Supply VDDQ | — | 2.5 V isolated or 3.3 V |
| Write Control | — | Individual BYTE WRITE enables |
| Standby Feature | — | SNOOZE MODE reduced-power standby |
| Data I/O | — | Common data inputs and data outputs |
| Burst Modes | — | Linear and interleaved burst address sequences |