MT58L64L32PT7.5 vs MT58L64L32FT-10 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT58L64L32PT7.5 제조: Micron Technology 및 MT58L64L32FT-10 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT58L64L32PT7.5 MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron

MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron

MT58L64L32PT7.5 ✗ 단종
Micron Technology
MT58L64L32FT-10 MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron

MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron

MT58L64L32FT-10 ✗ 단종

사양 비교

파라미터 MT58L64L32PT7.5 MT58L64L32FT-10
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 수명 종료 수명 종료
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $19.90 $0.00
메모리 유형 SRAM - Synchronous (SYNCBURST Pipelined) SRAM - Synchronous Burst (Flow-Through SyncBurst)
메모리 크기 2 Mbit 2 Mbit
메모리 구성 64K x 32 64K x 32/36 (also 128K x 18)
Clock Frequency 133 MHz —
Access Time 4 ns 10 ns
Supply Voltage Range 3.135 V to 3.6 V —
인터페이스 Parallel Parallel
패키지 100-TQFP (14 x 20.1 mm) 100-TQFP (14 x 20.1 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead Pitch 0.5 mm —
Memory Format Volatile —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial; -10IT variant industrial)
I/O Type LVTTL-compatible 3.3V —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Manufacturer Micron Technology (also listed under Samsung Semiconductor, Inc. marketplace listing) —
최대 클록 주파수 — 66 MHz
Supply Voltage VDD — 3.3 V (+0.3 V/-0.165 V)
Output Buffer Supply VDDQ — 2.5 V isolated or 3.3 V
Write Control — Individual BYTE WRITE enables
Standby Feature — SNOOZE MODE reduced-power standby
Data I/O — Common data inputs and data outputs
Burst Modes — Linear and interleaved burst address sequences

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청