MT58L64L32PT7.5 vs MT58L64L32FT-10 比較

詳細な並列比較: MT58L64L32PT7.5 メーカー: Micron Technology および MT58L64L32FT-10 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT58L64L32PT7.5 MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron

MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron

MT58L64L32PT7.5 ✗ 生産終了
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MT58L64L32FT-10 MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron

MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron

MT58L64L32FT-10 ✗ 生産終了

仕様比較

パラメータ MT58L64L32PT7.5 MT58L64L32FT-10
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 製造終了 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $19.90 $0.00
メモリタイプ SRAM - Synchronous (SYNCBURST Pipelined) SRAM - Synchronous Burst (Flow-Through SyncBurst)
メモリサイズ 2 Mbit 2 Mbit
メモリ構成 64K x 32 64K x 32/36 (also 128K x 18)
Clock Frequency 133 MHz —
Access Time 4 ns 10 ns
Supply Voltage Range 3.135 V to 3.6 V —
インターフェース Parallel Parallel
パッケージ 100-TQFP (14 x 20.1 mm) 100-TQFP (14 x 20.1 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead Pitch 0.5 mm —
Memory Format Volatile —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial; -10IT variant industrial)
I/O Type LVTTL-compatible 3.3V —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Manufacturer Micron Technology (also listed under Samsung Semiconductor, Inc. marketplace listing) —
最大クロック周波数 — 66 MHz
Supply Voltage VDD — 3.3 V (+0.3 V/-0.165 V)
Output Buffer Supply VDDQ — 2.5 V isolated or 3.3 V
Write Control — Individual BYTE WRITE enables
Standby Feature — SNOOZE MODE reduced-power standby
Data I/O — Common data inputs and data outputs
Burst Modes — Linear and interleaved burst address sequences

データシート&リソース

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