NT5CC256M16CP-DIB1 vs K4A8G165WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIB1 par Nanya Technology et K4A8G165WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DIB1 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Débit de données | 1600Mbps (DDR3L-1600) | — |
| Boîtier | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (Tcase) | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |
| Statut RoHS | — | Compliant |