NT5CC256M16CP-DIB1 vs K4A8G165WB-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DIB1 제조: Nanya Technology 및 K4A8G165WB-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16CP-DIB1 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| 데이터 속도 | 1600Mbps (DDR3L-1600) | — |
| 패키지 | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| 동작 온도 | 0C to +95C (Tcase) | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |
| RoHS 상태 | — | Compliant |