NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology et NT5CC256M16CP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16DP-DI | NT5CC256M16CP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin (800MHz) | — |
| Boîtier | VFBGA-96 | VFBGA-96 |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| Latence CAS | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (programmable) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Density | — | 4Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (CL11) |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Internal Banks | — | 8 |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] |
| Process Technology | — | 70nm |