NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DI 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16DP-DI 제조: Nanya Technology 및 NT5CC256M16CP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16DP-DI | NT5CC256M16CP-DI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $2.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps/pin (800MHz) | — |
| 패키지 | VFBGA-96 | VFBGA-96 |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| CAS 레이턴시 | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| Number of Banks | 8 | — |
| 인터페이스 | Differential clock (CK, CK#) | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (programmable) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Density | — | 4Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (CL11) |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Internal Banks | — | 8 |
| 동작 온도 | — | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] |
| Process Technology | — | 70nm |