NT6AN8T0SA vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T0SA par Nanya Technology et H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T0SA | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,88 | $55,68 |
| Type de mémoire | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 | — |
| Tension d'alimentation | 1.2V | — |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Débit de données | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Plage de température de fonctionnement | -30°C to +85°C | — |
| Boîtier | FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |