NT6AN8T0SA vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較
詳細な並列比較: NT6AN8T0SA メーカー: Nanya Technology および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT6AN8T0SA | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.88 | $55.68 |
| メモリタイプ | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| メモリ構成 | 64M x 32 | — |
| 電源電圧 | 1.2V | — |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| データレート | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| 動作温度範囲 | -30°C to +85°C | — |
| パッケージ | FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |