TJ60S06M3LT6L1.NQ vs TJ60S06M3L(T6L1NQ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TJ60S06M3LT6L1.NQ par Toshiba et TJ60S06M3L(T6L1NQ par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ - 60V 60A P-Ch MOSFET DPAK+ | Toshiba

TJ60S06M3L(T6L1,NQ - 60V 60A P-Ch MOSFET DPAK+ | Toshiba

TJ60S06M3L(T6L1NQ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre TJ60S06M3LT6L1.NQ TJ60S06M3L(T6L1NQ
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,92
Polarity P-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +10 V / -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -60 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 100 W —
RDS(on) Max at VGS=-10V 0.0112 ohm —
Input Capacitance (Ciss) 7760 pF 7760 pF typ
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier DPAK+ (TO-252) DPAK+ (TO-252-3)
Température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Technology Toshiba U-MOS (silicon) Silicon U-MOS (trench)
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Toshiba product positioning) —
Type de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGSS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -60 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 100 W (Tc)
RDS(ON) Max @ VGS = -10 V — 14.5 mOhm
RDS(ON) Typ @ VGS = -10 V — 11.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vth) — -3.0 V typ (VDS = -1 mA, enhancement mode)
Leakage Current (IDSS) Max — -10 uA (VDS = -40 V)
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101

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