VNQ660SPTR-E vs VNQ660SP Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de VNQ660SPTR-E par STMicroelectronics et VNQ660SP par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre VNQ660SPTR-E VNQ660SP
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,37 $2,45
Fonction Quad-channel high-side solid-state relay Quad Channel High-Side Solid State Relay
Technology ST VIPower M0-3 (vertical DMOS) VIPower M0-3
Number of Channels 4 4
Switch Type High-side N-channel power MOSFET —
Supply Voltage (VCC) 6 V to 36 V —
Maximum Continuous Output Current (per channel) 6 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm typical (per channel) —
Input Compatibility CMOS logic-level inputs CMOS-compatible logic inputs
Protection Features Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection —
Status Feedback Analog status flag per channel —
Off-State Quiescent Current [DATA_NEEDED: standby Iq] —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PowerSO-10 with exposed bottom pad PowerSO-10 (10-pin with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Maximum Power Dissipation 113.6 W (with proper thermal design) —
Statut RoHS Compliant —
Part Number — VNQ660SP
Manufacturer — STMicroelectronics
Configuration de sortie — High-Side (N-Channel MOSFET)
On-Resistance RDS(on) per Channel — 50 mΩ (typical)
Continuous Output Current per Channel — 6 A
Supply Voltage VCC — 10 V to 36 V
Open-Load Detection — Yes (off-state)
Undervoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Clamp — Yes (active avalanche)
Arrêt thermique — Yes
Current Limitation — Yes

Fiches techniques et ressources

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