1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon ו 1ED3122MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED020I12B2XUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 5.7 kVrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns 30 ns
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) Active (integrated)
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
מארז PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Creepage Distance 8 mm —
טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר