1ED3142MU12FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3142MU12FXUMA1 מאת Infineon ו 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3142MU12FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Galvanically Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 1 1
Peak Source/Sink Output Current 6.5 A (typical) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (DigiKey rating) 3000 Vrms —
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) 2300 V —
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] —
Input Supply Voltage (VCC1) [DATA_NEEDED: value] —
Propagation Delay (typical) 42 ns —
Target Power Switches SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs —
מארז PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: junction/ambient range] —
Protection Features UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection —
Output Stage Separate source/sink pins, totem-pole —
סטטוס RoHS Compliant —
Family Infineon EiceDRIVER 1ED31xx —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
רמת MSL — MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Compliance — RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר