1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7146GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7126GXTMA1 1EDN7146GXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) TDI (Truly Differential Inductor)
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Type — High-side, single-channel
Number of Drivers — 1
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר