27C512-25 vs 27C512-10 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 27C512-25 מאת Microchip Technology ו 27C512-10 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete
Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ סוף ייצור

השוואת מפרטים

פרמטר 27C512-25 27C512-10
מותג Microchip Technology Texas Instruments
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים Obsolete סוף חיים
Memory Organization 64K x 8 (524,288 bits) —
סוג זיכרון CMOS EPROM (UV / OTP) OTP EPROM (CMOS)
Maximum Access Time 250 ns —
Supply Voltage (Read Mode) 5 V +/- 10% —
Standby Current (CMOS) 20 uA typical —
Operating Mode Asynchronous Totally static operation
סוג פלט 3-state, common I/O —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout
מארז DIP-28 28-pin DIP
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Programming Method High-voltage EPROM programming (Flashrite type) —
Erase Method UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) One-Time Programmable (not erasable)
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time Guarantee Any byte in less than 250 ns —
Technology CMOS floating gate —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
גודל זיכרון — 512 Kbit
ארגון — 64K x 8
Access Time (Speed Grade -10) — 100 ns
Supply Voltage (VCC) — +5 V with +/-10% tolerance
Programming Voltage (VPP) — +12.5 V
Standby Current — 20 uA typical (CMOS standby)
ממשק — Parallel, TTL compatible
Address Lines — 15 (A0-A14)
Data Lines — 8 (Q0-Q7), tri-state outputs
Control Signals — /E (chip enable), /G (output enable)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר