2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL5023U2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8033G4BXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
מספר יציאות 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (HS + LS)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
מארז PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-8-5
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C (typical industrial range) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
טופולוגיה — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Isolation Type — Junction-isolated (non-galvanic)
Input Logic Compatibility — TTL
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Marking Code — 2ED8033G4B

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר