2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8033G4BXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL5023U2DXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 1 (Half-Bridge)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) —
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
מארז PG-VDSON-8-5 PG-TSNP-12-5
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
מספר יציאות — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר