BFU520WF vs BFU520A השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BFU520WF מאת NXP Semiconductors ו BFU520A מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BFU520WF | BFU520A |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Transistors | Transistors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | NPN | NPN |
| Technology | Wideband silicon RF BJT, 11 GHz fT silicon technology | — |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | 12 V | — |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO rating) | 12 V | — |
| Maximum Collector Current (IC max) | 30 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 450 mW | — |
| Transit Frequency (fT) | 11 GHz | — |
| Minimum Noise Figure (NFmin) | 0.6 dB at 900 MHz | — |
| Maximum Stable Gain (MSG) | 18.5 dB at 900 MHz | — |
| Application Frequency Range | Up to 2 GHz | — |
| מארז | SOT323 (SC-70), 3-pin plastic | SOT23 (TO-236-3), 3-pin plastic |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Family | BFU5 family, small signal to medium power up to 2 GHz | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: hFE] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Collector-Base Capacitance (Ccb) | [DATA_NEEDED: Ccb] | — |
| סוג טרנזיסטור | — | NPN silicon wideband RF transistor |
| Maximum Operating Frequency | — | up to 2 GHz |
| Product Family | — | BFU5 family |
| Application Class | — | High speed, low noise; small signal to medium power |
| מתח אספן-פולט (Vceo) | — | [DATA_NEEDED: VCEO] |
| זרם קולט (Ic) | — | [DATA_NEEDED: IC max] |
| תדר מעבר (ft) | — | [DATA_NEEDED: fT] |
| Noise Figure NF | — | [DATA_NEEDED: noise figure] |
| Gain (S21/Gp) | — | [DATA_NEEDED: gain] |
| פיזור הספק (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot] |