BSC014N04LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon ו BSZ017NE2LS5IATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC014N04LSATMA1 | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ |
| On-Resistance Test Current | — | 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V @ 250 µA |
| Total Gate Charge Qg | — | 30 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2000 pF @ VDS=12V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 50 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +150°C |
| Series / Family | — | OptiMOS 5 25V |