BSC018N04LSGATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC018N04LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSTATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ פעיל
Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC018N04LSGATMA1 BSC014N04LSTATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 30 A 33 A
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 125 W —
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C 2.5 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 1.8 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (TJ) -55°C to +150°C
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
JEDEC Qualification Yes (qualified per JEDEC for target applications) —
Part Number — BSC014N04LSTATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 115 W
מספר פינים — 8
רמת MSL — MSL1
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר