BSC018N04LSGATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC018N04LSGATMA1 bằng Infineon và BSC014N04LSTATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC018N04LSGATMA1 | BSC014N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (N-Channel Trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 30 A | 33 A |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | 2.5 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (TJ) | -55°C to +150°C |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| JEDEC Qualification | Yes (qualified per JEDEC for target applications) | — |
| Part Number | — | BSC014N04LSTATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V | — | 1.45 mΩ |
| R DS(on) typical @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 115 W |
| Số chân | — | 8 |
| Cấp MSL | — | MSL1 |
| Lead-Free | — | Yes |