BSC054N04NSGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC054N04NSGATMA1 מאת Infineon ו ISC058N04NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC054N04NSGATMA1 | ISC058N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 63 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 17 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | — | 5.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.4 V |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 42 W |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL per JEDEC J-STD-020 |
| Gate Drive Level | — | Normal Level (10V VGS recommended) |