BSC0911NDATMA1 vs BSC0902NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0911NDATMA1 מאת Infineon ו BSC0902NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0911NDATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| מארז | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (Tj) |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| נטול הלוגנים | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |