BSC098N10NS5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC098N10NS5ATMA1 מאת Infineon ו IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC098N10NS5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 60 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9.8 mOhm 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) 69 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Diode Continuous Forward Current (IS) 63 A (Tc=25C) —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 240 A (Tc=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) typ 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) —
Diode Forward Voltage (VSD) max 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C (junction)
מארז PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Shipping Packaging Tape & Reel (T/R) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family policy)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר