BSC120N03LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC120N03LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC059N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC120N03LSGATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 39 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 12 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 28 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +150 C |
| מארז | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |