BSC120N03LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC059N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC120N03LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55 C to +150 C
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology — OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں