BSC12DN20NS3GATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC12DN20NS3GATMA1 מאת Infineon ו IPT017N12NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC12DN20NS3GATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-5 | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| מספר פינים | 8 | 8 + tab |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel |