BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC190N15NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC098N10NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC190N15NS3GATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
מארז PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר