BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ065N06LS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC0902NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C | -55C to +150C (Tj) |
| מארז | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| נטול הלוגנים | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |