BSZ100N03MSGATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ100N03MSGATMA1 מאת Infineon ו BSC076N04NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 40A TSDSON-8 MOSFET | Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ100N03MSGATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 30 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet] | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) | — |
| Terminal Finish | Tin (Pb-free) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | JEDEC - target application qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per JEDEC) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free plating) | — |
| נטול הלוגנים | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1] | — |
| Gate Charge Qg (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet] | — |
| רמת MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |