EP3C25F324C6N vs EP3C25F324C8 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3C25F324C6N מאת Intel ו EP3C25F324C8 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3C25F324C6N | EP3C25F324C8 |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | NRND |
| Series | Cyclone III | Cyclone III |
| Family | Cyclone III (low-power, low-cost FPGA) | — |
| Logic Elements (LE) | 24,624 | — |
| Total Memory Bits | 608,256 bits | — |
| Embedded Memory Blocks | M9K blocks, 66 total | — |
| Embedded Multipliers | 66 (18x18) | 66 (18 x 18) |
| DSP Blocks | 66 dedicated 18x18 multipliers | — |
| User I/O Pins | 215 | — |
| Number of I/O Banks | 8 | — |
| PLLs | 4 general-purpose PLLs | 4 |
| מארז | 324-BGA (FBGA-324), fine-pitch | 324-ball FBGA (FineLine BGA), 19 x 19 mm, 1.0 mm pitch |
| Speed Grade | C6 (commercial) | 8 (commercial) |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to +85 °C (commercial) |
| Process Technology | TSMC 65 nm low-power (LP) | 65 nm CMOS, SRAM-based |
| Configuration Schemes | Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (lead-free, RoHS compliant) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Logic Elements | — | 24,624 LE |
| Logic Array Blocks | — | 1,539 LABs |
| Embedded Memory | — | 608,256 bits |
| User I/Os | — | 215 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Maximum Internal Clock | — | 402 MHz |
| סטטוס RoHS | — | Non-compliant (per Lisleapex listing; original part number without 'N' suffix) |