EP3SE50F780C4G vs EP3SE50F780C4N השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE50F780C4G מאת Intel ו EP3SE50F780C4N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SE50F780C4G EP3SE50F780C4N
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Series Stratix III —
Logic Elements 47,500 LE —
Adaptive Logic Modules (ALMs) 19,000 ALM —
Embedded Memory 5.76 Mbit (5760000 bit) —
Number of I/Os 488 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) [DATA_NEEDED: LAB count from datasheet] —
Number of Multipliers (18x18) [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] —
Process Technology 40 nm TSMC —
Core Supply Voltage 1.1 V —
טווח טמפרטורת פעולה 0 C to +85 C (commercial) —
מארז 780-ball FBGA (FCBGA) 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
סוג הרכבה Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount (BGA)
סטטוס RoHS Compliant Lead-free / RoHS compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Configuration Memory SRAM-based (volatile, requires configuration device) —
Design Software Quartus II —
Logic Elements (LE) — 47,500
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
Maximum User I/Os — 488
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
מתח אספקה — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
טמפרטורת פעולה — 0C to +85C (C4 commercial grade)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר