H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-VKC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-PBC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-PBC | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| גודל זיכרון | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| ארגון | 1G x 8 (x8) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2666 Mbps/pin |
| מארז | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| תכונות | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| סטטוס RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| ממשק | — | Parallel (DDR4) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh period] |