H5ANAG8NBJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-XNC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5ANAG8NBJR-RDC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-XNC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5ANAG8NBJR-RDC | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $30.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| ארגון | 2G x 8 | 1 Gb x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ממשק | SSTL12 | DDR4 (8-bit data interface) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | Auto self-refresh |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0 C to +85 C |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| קצב נתונים | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| מתח אספקה | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |