IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N056DATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7L042GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | -55C to +175C (Tj) |
| מארז | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench N-Channel MOSFET |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| רמת MSL | — | 1 |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |