IAUCN08S7L024ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN08S7L024ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N04S6L030HATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN08S7L024ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 177 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | 150 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.4 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 148 W (Tc) | — |
| מארז | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |