IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IAUC100N04S6L014ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUT300N08S5N011ATMA1 מאת Infineon ו IAUC100N04S6L014ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUT300N08S5N011ATMA1 | IAUC100N04S6L014ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 410 A (Tj) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) max | 1.10 mOhm at V_GS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.8 V | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Q_g) | 231 nC at V_GS=10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 16.25 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 2.6 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 130 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 375 W at T_C=25C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +175C |
| מארז | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | 1 |
| Qualification | Automotive (AEC-Q101) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | IAUC / OptiMOS 6 40V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Mode | — | Enhancement |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 100 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: Q_G typical] |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 100 W |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix) |