IPB027N10N3GATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB027N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB038N12N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB027N10N3GATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C (junction) |
| מארז | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| מארז / Case | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |